Skip to content Skip to sidebar Skip to footer

Jenis-Jenis Transistor dan Fungsinya

Teknik Elektro - Transistor adalah komponen aktif dan terbentuk di seluruh rangkaian elektronik. Mereka digunakan sebagai penguat (amplifier) dan peralatan switching. Sebagai penguat, mereka digunakan di tingkat yang tinggi dan rendah, tahap frekuensi, Osilator, modulator, detektor, dan dalam rangkaian apa pun perlu menjalankan fungsi.


Jenis-Jenis Transistor dan Fungsinya


Di rangkaian digital, mereka digunakan sebagai sakelar. Ada sejumlah besar pabrikan di seluruh dunia yang memproduksi semikonduktor (transistor adalah anggota dari keluarga peralatan ini), jadi ada ribuan jenis yang berbeda.


Ada transistor daya rendah, sedang dan tinggi, untuk berfungsi dengan frekuensi tinggi dan rendah, untuk berfungsi dengan arus sangat tinggi dan atau tegangan tinggi. Artikel ini memberikan gambaran tentang apa itu transistor, jenis jenis transistor dan fungsinya.

Jenis-Jenis Transistor

Transistor adalah peralatan elektronik. Itu dibuat melalui semikonduktor tipe p dan n. Ketika semikonduktor ditempatkan di tengah antara semikonduktor tipe yang sama, pengaturan disebut transistor.


Kita dapat mengatakan bahwa sebuah transistor adalah kombinasi dari dua dioda yang dihubungkan dari belakang ke belakang. Transistor adalah perangkat yang mengatur aliran arus atau tegangan dan bertindak sebagai tombol atau gerbang untuk sinyal elektronik. Transistor terdiri dari tiga lapisan perangkat semikonduktor, masing-masing mampu menggerakkan arus.



Semikonduktor adalah bahan seperti germanium dan silikon yang menghantarkan listrik dengan cara "semi-antusias". Itu ada di mana saja antara konduktor asli seperti tembaga dan isolator (mirip dengan kabel plastik yang dibungkus kira-kira).

Simbol Transistor

Suatu bentuk diagram dari transistor NPN dan transistor PNP terpapar. Di rangkaian adalah koneksi bentuk yang digunakan. Simbol panah menentukan arus emitor. Dalam koneksi transistor NPN kami mengidentifikasi aliran elektron ke emitor.


Ini berarti bahwa arus konservatif mengalir keluar dari emitor seperti yang ditunjukkan oleh panah keluar. Sama halnya dapat dilihat bahwa untuk koneksi transistor PNP, arus konservatif mengalir ke emitor seperti yang diekspos oleh panah ke dalam pada gambar.



Ada begitu banyak jenis transistor dan masing-masing memiliki karakteristik yang berbeda-beda dan masing-masing memiliki kelebihan dan kekurangan. Beberapa jenis transistor sebagian besar digunakan untuk berpindah aplikasi. Lainnya dapat digunakan untuk switching dan amplifikasi.


Transistor lain masih dalam kelompok khusus mereka sendiri, seperti Photo transistor, yang bereaksi terhadap jumlah cahaya yang bersinar padanya untuk menghasilkan aliran arus melaluinya. Di bawah ini adalah daftar berbagai jenis jenis transistor; kita akan membahas karakteristik masing-masing transistor;

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Transistor Bipolar adalah transistor yang dibangun dari 3 daerah, base, kolektor, dan emitor. Transistor Bipolar, berbeda dengan transistor FET, adalah perangkat yang dikontrol arus. Sebuah arus kecil yang masuk di daerah basis transistor menyebabkan aliran arus yang jauh lebih besar dari emitor ke daerah kolektor. Transistor persimpangan bipolar datang dalam dua tipe utama, transistor NPN dan transistor PNP.


Transistor NPN adalah salah satu di mana pembawa arus mayoritas adalah elektron. Elektron yang mengalir dari emitor ke kolektor membentuk dasar dari mayoritas aliran arus melalui transistor. Jenis muatan selanjutnya, hole, adalah minoritas. Transistor PNP adalah sebaliknya. Dalam transistor PNP, pembawa arus mayoritas adalah hole (lubang).


Transistor FET

Transistor FET terdiri dari 3 wilayah, gate, source, dan drain. Berbeda dengan transistor bipolar, transistor FET adalah perangkat yang dikontrol tegangan. Tegangan yang ditempatkan di gate/gerbang mengontrol aliran arus dari source/sumber ke drain transistor.


Transistor FET memiliki impedansi input yang sangat tinggi, dari beberapa mega ohm (MΩ) yang tahan terhadap nilai yang jauh lebih besar. Input impedansi yang tinggi ini menyebabkan mereka memiliki arus yang sangat sedikit melaluinya.


Menurut hukum ohm, arus dipengaruhi secara terbalik oleh nilai impedansi rangkaian. Jika impedans tinggi, arus sangat rendah. Jadi transistor FET sama-sama menarik arus yang sangat sedikit dari sumber daya rangkaian.


Dengan demikian, ini ideal karena tidak mengganggu elemen daya rangkaian asli yang terhubung dengannya. Mereka tidak akan menyebabkan sumber daya dimuat. Kekurangan dari transistor FET adalah bahwa mereka tidak akan memberikan amplifikasi yang sama yang bisa didapat dari transistor bipolar.


Transistor bipolar lebih unggul dalam kenyataan bahwa mereka memberikan amplifikasi yang lebih besar, meskipun transistor FET lebih baik karena menyebabkan lebih sedikit pemuatan, lebih murah, dan lebih mudah untuk diproduksi.


Transistor FET terdiri dari 2 jenis utama: JFET dan MOSFET. JFET dan MOSFET sangat mirip tetapi MOSFET memiliki nilai input impedansi yang lebih tinggi daripada JFET. Hal ini menyebabkan semakin sedikit pemuatan dalam suatu rangkaian.


Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

AlgaAs / GaAs Transistor bipolar heterojunction (HBT) digunakan untuk aplikasi microwave digital dan analog dengan frekuensi setinggi Ku band. Transistor HBT dapat menyediakan kecepatan switching yang lebih cepat daripada transistor bipolar silikon terutama karena berkurangnya resistansi dasar dan kapasitansi kolektor ke substrat.


Pemrosesan transistor HBT membutuhkan litografi yang lebih sedikit daripada FET GaAs, oleh karena itu, transistor HBT dapat berharga untuk dibuat dan dapat memberikan hasil litografi yang lebih baik.


Teknologi ini juga dapat memberikan tegangan breakdown yang lebih tinggi dan pencocokan impedansi broadband yang lebih mudah daripada FET GaAs. Dalam penilaian dengan transistor bipolar (BJT), transistor HBT menunjukkan presentasi yang lebih baik dalam hal efisiensi injeksi emitor, resistansi base, kapasitansi base-emitor, dan frekuensi cut-off.


Mereka juga menghadirkan linearitas yang baik, noise fasa rendah dan efisiensi daya tinggi. Transistor HBT digunakan dalam aplikasi yang menguntungkan dan memiliki keandalan tinggi, seperti penguat daya (power amplifier) di telepon seluler dan driver laser.

Transistor Darlington

Transistor Darlington kadang-kadang disebut sebagai "pasangan Darlington" adalah rangkaian transistor yang terbuat dari dua transistor. Sidney Darlington menciptakannya. Ini seperti transistor, tetapi memiliki kemampuan yang jauh lebih tinggi untuk mendapatkan arus. Rangkaian dapat dibuat dari dua transistor diskrit atau dapat di dalam rangkaian terpadu.


Parameter hfe dengan transistor Darlington adalah setiap transistor yang dikalikan satu sama lain. Rangkaian ini membantu amplifier audio atau probe yang mengukur arus sangat kecil yang mengalir melalui air. Ini sangat sensitif sehingga dapat mengambil arus di kulit. Jika Anda menghubungkannya ke sepotong logam, Anda dapat membuat tombol peka sentuhan.


Transistor Schottky

Transistor Schottky adalah kombinasi dari transistor dan dioda Schottky yang mencegah transistor jenuh dengan mengalihkan arus input ekstrem. Ini juga disebut transistor Schottky-clamped.


Transistor Multi-Emitor

Transistor multi-emitor adalah spesialis transistor bipolar yang sering digunakan sebagai input transistor transistor logika (TTL) gerbang logika NAND. Sinyal input diterapkan ke emitor.

Arus kolektor berhenti mengalir dengan sederhana, jika semua emitor digerakkan oleh tegangan tinggi logika, sehingga melakukan proses logika NAND menggunakan transistor tunggal. Transistor multi-emitor menggantikan dioda DTL dan setuju untuk pengurangan waktu switching dan disipasi daya.


Gerbang Ganda MOSFET (dual gate MOSFET)

Salah satu bentuk MOSFET yang sangat populer di beberapa aplikasi Radio Frekuensi adalah MOSFET gerbang ganda. MOSFET gerbang ganda digunakan dalam banyak RF dan aplikasi lain di mana dua gerbang kontrol diperlukan secara seri. Gerbang ganda MOSFET pada dasarnya adalah bentuk MOSFET di mana, dua gerbang dibuat-buat sepanjang channel satu demi satu.



Dengan cara ini, kedua gerbang mempengaruhi tingkat arus yang mengalir antara sumber dan drain. Akibatnya, operasi gerbang ganda MOSFET dapat dianggap sama dengan dua perangkat MOSFET secara seri.


Kedua gerbang mempengaruhi operasi MOSFET umum dan oleh karena itu hasilnya. MOSFET gerbang ganda dapat digunakan dalam banyak aplikasi termasuk pencampur / pengali RF, penguat RF, penguat dengan kontrol gain dan sejenisnya.

Junction FET Transistor

Junction Field Effect Transistor (JUGFET atau JFET) tidak memiliki PN-junction tapi di tempatnya memiliki bagian yang sempit dari bahan semikonduktor resistivitas tinggi membentuk “Channel” baik tipe-N atau tipe-P silikon untuk pembawa mayoritas mengalir melalui dengan dua koneksi listrik ohmik di kedua ujungnya masing-masing biasanya disebut Drain dan Source.


Ada dua konfigurasi dasar transistor JFET, N-channel JFET dan P-channel JFET. Pada N-channel JFET didoping dengan pengotor donor yang berarti bahwa aliran arus melalui channel adalah negatif (maka istilah N-channel) dalam bentuk elektron.


Transistor Avalanche

Transistor avalanche adalah transistor persimpangan bipolar yang dirancang untuk proses di wilayah karakteristik tegangan kolektor-arus / kolektor-ke-emitor di luar tegangan gangguan kolektor-ke-emitor, yang disebut daerah breakdown avalanche. dan resistansi diferensial negatif.


Operasi di wilayah avalanche breakdown disebut operasi avalanche-mode: ia memberikan transistor avalanche kemampuan untuk beralih arus yang sangat tinggi dengan kurang dari nanosecond naik dan turunnya waktu (waktu transisi).


Transistor yang tidak dirancang khusus untuk tujuan tersebut dapat memiliki sifat avalanche yang cukup konsisten; misalnya 82% sampel sakelar 15V berkecepatan tinggi 2N2369, yang diproduksi selama 12 tahun periode, mampu menghasilkan pulsa avalanche dengan waktu kenaikan 350 ps atau kurang, menggunakan catu daya 90V seperti yang ditulis Jim Williams.

Transistor Difusi

Transistor difusi adalah transistor bipolar (BJT) yang dibentuk oleh difusi dopan ke dalam substrat semikonduktor. Proses difusi diimplementasikan lebih lambat dari persimpangan paduan dan proses persimpangan tumbuh untuk membuat BJT. Bell Labs mengembangkan transistor difusi prototipe pertama pada tahun 1954.


Transistor difusi asli adalah transistor basis-difusi. Transistor ini masih memiliki penghasil alloy dan terkadang kolektor alloy seperti transistor junction sebelumnya. Hanya alas yang disebar ke dalam media. Kadang-kadang substrat menghasilkan kolektor, tetapi dalam transistor seperti paduan mikro Philco transistor menyebar substrat adalah bagian terbesar dari basis.

Aplikasi Transistor

Aplikasi semikonduktor daya yang sesuai membutuhkan pemahaman tentang peringkat maksimum dan karakteristik listriknya, informasi yang disajikan dalam lembar data perangkat. Praktik desain yang baik menggunakan batasan lembar data dan bukan informasi yang diperoleh dari banyak sampel kecil.


Peringkat adalah nilai maksimum atau minimum yang menetapkan batas kemampuan perangkat. Tindakan yang melebihi peringkat dapat menyebabkan degradasi yang tidak dapat diubah atau kegagalan perangkat. Peringkat maksimum menandakan kemampuan ekstrem suatu perangkat. Mereka tidak akan digunakan sebagai keadaan desain.


Karakteristik adalah ukuran kinerja perangkat dalam kondisi operasi individual yang dinyatakan oleh nilai minimum, karakteristik, dan / atau maksimum, atau diungkapkan secara grafis.


Jadi, ini semua tentang apa itu transistor dan berbagai jenis jenis transistor dan fungsinya. Kami harap Anda mendapatkan pemahaman yang lebih baik tentang konsep ini atau untuk mengimplementasikan proyek listrik dan elektronik.


https://elektro.kamplongan.my.id